• صفحه اصلی
  • کالای دیجیتال
  • هارد SSD M.2
  • حافظه اس اس دی داخلی سامسونگ 990 Pro با هیت سینک 4 ترابایت NVMe 2.0 M.2 2280، سرعت خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه، سرعت نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه، ولتاژ 3.3، V-NAND 3-bit MLC، مشکی | MZ-V9P4T0CW
حافظه اس اس دی داخلی سامسونگ 990 Pro با هیت سینک 4 ترابایت NVMe 2.0 M.2 2280، سرعت خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه، سرعت نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه، ولتاژ 3.3، V-NAND 3-bit MLC، مشکی | MZ-V9P4T0CW
حافظه اس اس دی داخلی سامسونگ 990 Pro با هیت سینک 4 ترابایت NVMe 2.0 M.2 2280، سرعت خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه، سرعت نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه، ولتاژ 3.3، V-NAND 3-bit MLC، مشکی | MZ-V9P4T0CW
حافظه اس اس دی داخلی سامسونگ 990 Pro با هیت سینک 4 ترابایت NVMe 2.0 M.2 2280، سرعت خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه، سرعت نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه، ولتاژ 3.3، V-NAND 3-bit MLC، مشکی | MZ-V9P4T0CW
حافظه اس اس دی داخلی سامسونگ 990 Pro با هیت سینک 4 ترابایت NVMe 2.0 M.2 2280، سرعت خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه، سرعت نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه، ولتاژ 3.3، V-NAND 3-bit MLC، مشکی | MZ-V9P4T0CW

حافظه اس اس دی داخلی سامسونگ 990 Pro با هیت سینک 4 ترابایت NVMe 2.0 M.2 2280، سرعت خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه، سرعت نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه، ولتاژ 3.3، V-NAND 3-bit MLC، مشکی | MZ-V9P4T0CW


  • icon

    ارسال تا 7 روز کاری(پس از دریافت در کشور مبدا)

  • icon

    اصالت کالا(100% ارجینال)

  • icon

    پشتیبانی 24 ساعته(7 روز هفته به صورت 24 ساعته)

۷۱٬۰۴۵٬۵۸۸تومان

مایکرولس امارات|بروزرسانی: ۱۴۰۴/۱۱/۱۲

990 PRO با هیت سینک PCIe 4.0 M.2 - 4 ترابایت سرعت فوق العاده، پیروزی بی پایان عملکرد سریع و طولانی مدت PCIe® 4.0 را تجربه کنید. کنترل حرارت هوشمند کنترلر داخلی، راندمان انرژی فوق العاده ای را ارائه می دهد و در عین حال سرعت و عملکرد را حفظ می کند تا به شما کمک کند در اوج بازی خود بمانید. ویژگی های کلیدی ظرفیت ذخیره سازی 4 ترابایت فرم فاکتور M.2 2280 رابط PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 خواندن ترتیبی تا 7450 مگابایت بر ثانیه نوشتن ترتیبی تا 6900 مگابایت بر ثانیه تا 2400TB TBW (کل بایت های نوشته شده) سازگار با PlayStation 5 هیت سینک فناوری فلش سامسونگ V-NAND رمزگذاری AES 256 بیتی مشخصات سرعت خواندن حداکثر: 7450 مگابایت بر ثانیه تصادفی: 1600000 IOPS (فایل های 4 کیلوبایتی) سرعت نوشتن حداکثر: 6900 مگابایت بر ثانیه تصادفی: 1550000 IOPS (فایل های 4 کیلوبایتی) بافر مشخصات SSD کنترلر فلش سامسونگ نوع حافظه فلش Multi-Level Cell (MLC) پشتیبانی از SMART بله پشتیبانی از TRIM بله قابلیت اطمینان / یکپارچگی داده رمزگذاری AES 256 بیتی استقامت (کل بایت های نوشته شده) 2400 TB توان الکتریکی 6.5 وات (فعال) 5.8 میلی وات (آماده به کار)

محصولات مرتبط