• صفحه اصلی
  • کالای دیجیتال
  • هارد SSD M.2
  • حافظه اس اس دی اینترنال SAMSUNG 1TB 990 EVO PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 M.2، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و نوشتن ترتیبی تا 4200 مگابایت بر ثانیه، تکنولوژی فلش V-NAND، 600TB TBW، رمزگذاری AES 256 بیتی، مشکی | MZ-V9E1T0BW
حافظه اس اس دی اینترنال SAMSUNG 1TB 990 EVO PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 M.2، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و نوشتن ترتیبی تا 4200 مگابایت بر ثانیه، تکنولوژی فلش V-NAND، 600TB TBW، رمزگذاری AES 256 بیتی، مشکی | MZ-V9E1T0BW
حافظه اس اس دی اینترنال SAMSUNG 1TB 990 EVO PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 M.2، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و نوشتن ترتیبی تا 4200 مگابایت بر ثانیه، تکنولوژی فلش V-NAND، 600TB TBW، رمزگذاری AES 256 بیتی، مشکی | MZ-V9E1T0BW
حافظه اس اس دی اینترنال SAMSUNG 1TB 990 EVO PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 M.2، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و نوشتن ترتیبی تا 4200 مگابایت بر ثانیه، تکنولوژی فلش V-NAND، 600TB TBW، رمزگذاری AES 256 بیتی، مشکی | MZ-V9E1T0BW
حافظه اس اس دی اینترنال SAMSUNG 1TB 990 EVO PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 M.2، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و نوشتن ترتیبی تا 4200 مگابایت بر ثانیه، تکنولوژی فلش V-NAND، 600TB TBW، رمزگذاری AES 256 بیتی، مشکی | MZ-V9E1T0BW

حافظه اس اس دی اینترنال SAMSUNG 1TB 990 EVO PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 M.2، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و نوشتن ترتیبی تا 4200 مگابایت بر ثانیه، تکنولوژی فلش V-NAND، 600TB TBW، رمزگذاری AES 256 بیتی، مشکی | MZ-V9E1T0BW


  • icon

    ارسال تا 7 روز کاری(پس از دریافت در کشور مبدا)

  • icon

    اصالت کالا(100% ارجینال)

  • icon

    پشتیبانی 24 ساعته(7 روز هفته به صورت 24 ساعته)

در حال بروزرسانی قیمت
ارتقا عملکرد روزانه با 990 EVO. افزایش عملکرد برای بازی، تجارت و گردش کار خلاقانه. ویژگی های کلیدی: ظرفیت ذخیره سازی 1 ترابایت، فرم فاکتور M.2 2280، PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 | NVMe 2.0، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه، سرعت نوشتن ترتیبی تا 4200 مگابایت بر ثانیه، تا 600 ترابایت TBW (مجموع بایت های نوشته شده)، فناوری فلش Samsung V-NAND، رمزگذاری AES 256 بیتی. مشخصات فنی: فرم فاکتور: M.2، ظرفیت: 1 ترابایت، 2 ترابایت، سرعت خواندن ترتیبی: تا 5000 مگابایت بر ثانیه، سرعت نوشتن ترتیبی: تا 4200 مگابایت بر ثانیه، کد مدل (ظرفیت): MZ-V9E1T0BW (1 ترابایت)، MZ-V9E2T0BW (2 ترابایت). ویژگی های عمومی: کاربرد: رایانه های شخصی کلاینت، فرم فاکتور: M.2 (2280)، رابط: PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0، ابعاد (WxHxD): 80 x 22 x 2.38 میلی متر، وزن: حداکثر 9.0 گرم. حافظه ذخیره سازی: Samsung V-NAND TLC، کنترلر: کنترلر داخلی سامسونگ، حافظه کش: HMB (بافر حافظه میزبان). ویژگی های ویژه: پشتیبانی از TRIM: پشتیبانی شده، پشتیبانی از S.M.A.R.T: پشتیبانی شده، GC (جمع آوری زباله): الگوریتم جمع آوری زباله خودکار، پشتیبانی از رمزگذاری: رمزگذاری AES 256 بیتی (کلاس 0)، TCG/Opal، IEEE1667 (درایو رمزگذاری شده)، پشتیبانی از WWN: پشتیبانی نمی شود، پشتیبانی از حالت خواب دستگاه: بله. عملکرد: خواندن ترتیبی: 1 ترابایت: تا 5000 مگابایت بر ثانیه، 2 ترابایت: تا 5000 مگابایت بر ثانیه، نوشتن ترتیبی: 1 ترابایت: تا 4200 مگابایت بر ثانیه، 2 ترابایت: تا 4200 مگابایت بر ثانیه، خواندن تصادفی (4KB, QD32): 1 ترابایت: تا 680000 IOPS، 2 ترابایت: تا 700000 IOPS، نوشتن تصادفی (4KB, QD32): 1 ترابایت: تا 800000 IOPS، 2 ترابایت: تا 800000 IOPS، خواندن تصادفی (4KB, QD1): 1 ترابایت: تا 20000 IOPS، 2 ترابایت: تا 20000 IOPS، نوشتن تصادفی (4KB, QD1): 1 ترابایت: تا 90000 IOPS، 2 ترابایت: تا 90000 IOPS. محیط: مصرف برق متوسط (سطح سیستم): 1 ترابایت: میانگین: خواندن 4.9 وات / نوشتن 4.5 وات، 2 ترابایت: میانگین: خواندن 5.5 وات / نوشتن 4.7 وات، مصرف برق (حالت بیکار): 1 ترابایت: معمولی 60 میلی وات، 2 ترابایت: معمولی 60 میلی وات، مصرف برق (خواب دستگاه): 1 ترابایت: معمولی 5 میلی وات، 2 ترابایت: معمولی 5 میلی وات، ولتاژ مجاز: ولتاژ مجاز 3.3 ولت ± 5٪. قابلیت اطمینان (MTBF): 1.5 میلیون ساعت قابلیت اطمینان (MTBF)، دمای کارکرد: 0 - 70 درجه سانتیگراد دمای کارکرد، شوک: 1500 G & 0.5 ms (نیمه سینوسی). لوازم جانبی: کیت نصب: موجود نیست. نرم افزار: نرم افزار Magician برای مدیریت SSD