• صفحه اصلی
  • کالای دیجیتال
  • هارد SSD M.2
  • حافظه اس اس دی اینترنال XPG Gammix S55 PCIe Gen4 x4 M.2 2230، ظرفیت 2 ترابایت، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه، حافظه 3D NAND، مشکی | GAMMIXS55-2T-C
حافظه اس اس دی اینترنال XPG Gammix S55 PCIe Gen4 x4 M.2 2230، ظرفیت 2 ترابایت، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه، حافظه 3D NAND، مشکی | GAMMIXS55-2T-C
حافظه اس اس دی اینترنال XPG Gammix S55 PCIe Gen4 x4 M.2 2230، ظرفیت 2 ترابایت، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه، حافظه 3D NAND، مشکی | GAMMIXS55-2T-C
حافظه اس اس دی اینترنال XPG Gammix S55 PCIe Gen4 x4 M.2 2230، ظرفیت 2 ترابایت، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه، حافظه 3D NAND، مشکی | GAMMIXS55-2T-C
حافظه اس اس دی اینترنال XPG Gammix S55 PCIe Gen4 x4 M.2 2230، ظرفیت 2 ترابایت، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه، حافظه 3D NAND، مشکی | GAMMIXS55-2T-C

حافظه اس اس دی اینترنال XPG Gammix S55 PCIe Gen4 x4 M.2 2230، ظرفیت 2 ترابایت، سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی 3700 مگابایت بر ثانیه، حافظه 3D NAND، مشکی | GAMMIXS55-2T-C


  • icon

    ارسال تا 7 روز کاری(پس از دریافت در کشور مبدا)

  • icon

    اصالت کالا(100% ارجینال)

  • icon

    پشتیبانی 24 ساعته(7 روز هفته به صورت 24 ساعته)

در حال بروزرسانی قیمت
GAMMIX S55، قدرت در دستان شما. مشخصات اصلی با عملکرد برتر. GAMMIX S55 از رابط انتقال اصلی PCIe Gen4 x4 استفاده می کند که مطابق با استاندارد NVMe 1.4 است، عملکرد خواندن و نوشتن عالی را ارائه می دهد و از آخرین پلتفرم های اینتل و AMD پشتیبانی می کند و ابزاری قدرتمند به زرادخانه کاری تلفن همراه شما اضافه می کند. مشخصات فنی: ظرفیت: 2 ترابایت. فرم فاکتور: M.2 2230. فلش NAND: 3D NAND. ابعاد (L x W x H): 30 x 22 x 2.05 میلی متر. وزن: 2.7 گرم. رابط: PCIe Gen4 x4. خواندن ترتیبی (حداکثر): تا 5000 مگابایت بر ثانیه (رایانه شخصی/لپ تاپ). نوشتن ترتیبی (حداکثر): تا 3700 مگابایت بر ثانیه. دمای عملیاتی: 0 درجه سانتیگراد - 70 درجه سانتیگراد. دمای ذخیره سازی: -40 درجه سانتیگراد - 85 درجه سانتیگراد. مقاومت در برابر شوک: 1500G/0.5 ms. MTBF: 1,500,000 ساعت. ترابایت نوشته شده (TBW): 450 ترابایت (حداکثر ظرفیت).